美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應用

高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%

伯東 GEL-PAK AD / APV / AV 真空吸附盒對比

伯東 GEL-PAK AD / APV / AV 真空吸附盒對比

美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 晶圆蚀刻

刻蚀 6寸或8寸 MEMS 晶圆, 材料为 Au / Ti ; 铁磁性多层膜蚀刻, 材料为 RU, Co, Fe, Pt, Ta.

KRi 射频离子源 RFICP 380 树脂镜片高性能 AR 工艺

手机镜头等上游供应商在生产工艺中通常使用离子源进行辅助沉积, 由此改善由手机摄像头内树脂镜片非有效径区域透光跟反射光线形成的 flare 现象

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應用

高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%

上海伯东 Pfeiffer 普发分流式分子泵 SplitFlow 80 应用于氦质谱检漏仪

SplitFlow 80 分流式分子泵独立机械和真空结构设计, 集成在氦质谱检漏仪真空系统中

上海伯东 Pfeiffer 普发分流式分子泵 SplitFlow 80 应用于氦质谱检漏仪

SplitFlow 80 分流式分子泵独立机械和真空结构设计, 集成在氦质谱检漏仪真空系统中

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應用

高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%

Pfeiffer 普发氦质谱检漏仪 ASM 340 光学镀膜机检漏

ASM 340 光学镀膜机检漏, 真空模式下, 漏率要求达到 1X10-7 mbar l/s, 保证光学镀膜机在生产过程中的密封性.

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 增強光學基片反射及透射率

RFICP 220 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強光學基片反射及透射率

ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计可替代 MKS, INFICON 离子规

可以替代离子规 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型号

SRG 旋轉轉子真空計測量原理

SRG 旋轉轉子真空計測量原理,穩定測量優勢,固有的抗污染性和堅固設計,高精度和長期穩定性

KRi 直流磁控濺射電源應用於金屬靶材濺射

KRi 直流磁控濺射電源應用於金屬靶材濺射

ph-instruments Dositorr SRG 磁悬浮转子真空计离子注入应用

SRG 磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无污染, 对沉积不敏感. 可替代离子注入工艺中的离子规, 解决常规离子规经常失效, 信号漂移等问题.

SRG 旋转转子真空规与离子规对比

SRG 旋转转子真空计精度高, 长期稳定, 不影响以任何方式测量的压力信号（无温度输入 / 电离 / 采集 / 漂移等）, 适用于半导体, 低温真空绝热, 高精度真空计校准系统.

SRG 磁悬浮转子规原理和特点(耐腐蚀,高精度,长期稳定)

SRG 旋转转子是一种高精度且稳定的真空测量技术, 核心感测组件是一个小型磁悬浮的钢球, 透过管件连接到真空系统内

SRG 磁悬浮转子真空计应用于显示面板腔体测量

磁悬浮转子真空计具有长期的坚固性, 高度准确和稳定的压力读数, 耐腐蚀和沉积, 即使在腐蚀工艺中, 其他仪表可能会漂移和失效, SRG 磁悬浮转子真空计无影响.

SRG 磁悬浮转子真空计应用优势

耐腐蚀和沉积, 无灯丝设计, 替代传统的离子规(冷阴极离子规或热阴极离子规)

KRi 射频离子源 RFICP 40 应用于氧化物薄膜及异质结制备系统

KRi 射频离子源 RFICP 40 协助完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金属氧化物在 6寸单晶硅上均匀沉积多层膜的需要, 单晶硅镀氧化薄膜的工艺过程

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 增強光學基片反射及透射率

RFICP 220 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強光學基片反射及透射率

美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 MEMS 晶圆蚀刻

刻蚀 6寸或8寸 MEMS 晶圆, 材料为 Au / Ti ; 铁磁性多层膜蚀刻, 材料为 RU, Co, Fe, Pt, Ta.

美国 KRi RFICP 220 三层栅网射频离子源适用于 8寸金属刻蚀机

三层栅网设计, 覆盖面积更大, 精密控制离子束流的能量, 方向

美国 KRi 射频离子源 RFICP 220 精密光学镀膜解决方案

为精密光学镀膜提供解决方案, 适用于溅射镀, 蒸镀, 膜层均匀且牢固

美國 KRi 三層柵網射頻離子源 RFICP 220 精密光學鍍膜應用

鍍金屬反射膜, 大型望遠鏡--3.2米量級主鏡鍍膜應用的真空鍍膜系統,用於改善金屬膜層附著力, 降低氧化物吸收和提高環境穩定性

KRi 射頻離子源 RFICP 220 8英寸 IBE 離子束刻蝕

RFICP 380, RFICP 220 成功應用於 12英寸和 8英寸 IBE 離子束蝕刻機, 實現 300mm 和 200 mm 矽片蝕刻

SRG 磁悬浮转子真空计替代离子规适用于腐蚀和沉积环境

SRG 高精度磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无灯丝设计, 没有内在的污染源, 不会造成二次电离污染沉积. 完全替代离子规, 提供可靠的, 长期稳定的压力测试, 更适合高污染的严苛工艺环境.

ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计可替代 MKS, INFICON 离子规

可以替代离子规 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型号

SRG 磁悬浮转子真空计应用优势

耐腐蚀和沉积, 无灯丝设计, 替代传统的离子规(冷阴极离子规或热阴极离子规)

SRG 磁悬浮转子真空计应用优势

耐腐蚀和沉积, 无灯丝设计, 替代传统的离子规(冷阴极离子规或热阴极离子规)

SRG 磁悬浮转子规原理和特点(耐腐蚀,高精度,长期稳定)

SRG 旋转转子是一种高精度且稳定的真空测量技术, 核心感测组件是一个小型磁悬浮的钢球, 透过管件连接到真空系统内

SRG 磁悬浮转子规原理和特点(耐腐蚀,高精度,长期稳定)

SRG 旋转转子是一种高精度且稳定的真空测量技术, 核心感测组件是一个小型磁悬浮的钢球, 透过管件连接到真空系统内

Pfeiffer 普发全量程真空计 PKR 251 应用于6寸碳化硅外延炉

PKR 251 测量 6寸碳化硅外延炉设备中的石英真空腔室的真空度

ph-instruments Dositorr SRG 磁悬浮转子真空计离子注入应用

SRG 磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无污染, 对沉积不敏感. 可替代离子注入工艺中的离子规, 解决常规离子规经常失效, 信号漂移等问题.

VIM-2 磁悬浮转子真空计应用于真空绝缘监测

VIM-2 磁悬浮转子真空计应用于真空绝缘监测, 测量和监控真空绝缘泄漏的压力值, 长期稳定

ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计可替代 MKS, INFICON 离子规

可以替代离子规 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型号

ph-instruments SRG 磁悬浮转子真空计可替代 MKS, INFICON 离子规

可以替代离子规 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型号

SRG 磁悬浮转子规原理和特点(耐腐蚀,高精度,长期稳定)

SRG 旋转转子是一种高精度且稳定的真空测量技术, 核心感测组件是一个小型磁悬浮的钢球, 透过管件连接到真空系统内

SRG 磁悬浮转子真空计应用优势

耐腐蚀和沉积, 无灯丝设计, 替代传统的离子规(冷阴极离子规或热阴极离子规)

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在眼科涂层 Opthalmic Coating 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在镀膜行业（如光学镀膜, 硬质镀膜）中, 其稳定的真空测量可确保膜层厚度均匀性, 减少批次间差异, 提升镀膜产品光学性能与耐用性.

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在眼科涂层 Opthalmic Coating 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在镀膜行业（如光学镀膜, 硬质镀膜）中, 其稳定的真空测量可确保膜层厚度均匀性, 减少批次间差异, 提升镀膜产品光学性能与耐用性.

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在眼科涂层 Opthalmic Coating 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在镀膜行业（如光学镀膜, 硬质镀膜）中, 其稳定的真空测量可确保膜层厚度均匀性, 减少批次间差异, 提升镀膜产品光学性能与耐用性.

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在眼科涂层 Opthalmic Coating 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在镀膜行业（如光学镀膜, 硬质镀膜）中, 其稳定的真空测量可确保膜层厚度均匀性, 减少批次间差异, 提升镀膜产品光学性能与耐用性.

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在光伏行业 Solar Collectors 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计可以在玻璃管内工作, 因此可以将带有球的玻璃管焊接到玻璃真空室, 在制造过程中测量真空度.可用于光伏行业的维护, 制造和测试, 且方便拆卸

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在光伏行业 Solar Collectors 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计可以在玻璃管内工作, 因此可以将带有球的玻璃管焊接到玻璃真空室, 在制造过程中测量真空度.可用于光伏行业的维护, 制造和测试, 且方便拆卸

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在光伏行业 Solar Collectors 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计可以在玻璃管内工作, 因此可以将带有球的玻璃管焊接到玻璃真空室, 在制造过程中测量真空度.可用于光伏行业的维护, 制造和测试, 且方便拆卸

SRG 磁悬浮旋转转子真空计在光伏行业 Solar Collectors 中的应用优势

SRG 磁悬浮旋转转子真空计可以在玻璃管内工作, 因此可以将带有球的玻璃管焊接到玻璃真空室, 在制造过程中测量真空度.可用于光伏行业的维护, 制造和测试, 且方便拆卸

SRG 磁悬浮转子真空计替代离子规适用于腐蚀和沉积环境

SRG 高精度磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无灯丝设计, 没有内在的污染源, 不会造成二次电离污染沉积. 完全替代离子规, 提供可靠的, 长期稳定的压力测试, 更适合高污染的严苛工艺环境.

SRG 磁悬浮转子真空计替代离子规适用于腐蚀和沉积环境

SRG 高精度磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无灯丝设计, 没有内在的污染源, 不会造成二次电离污染沉积. 完全替代离子规, 提供可靠的, 长期稳定的压力测试, 更适合高污染的严苛工艺环境.

SRG 磁悬浮转子真空计替代离子规适用于腐蚀和沉积环境

SRG 高精度磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无灯丝设计, 没有内在的污染源, 不会造成二次电离污染沉积. 完全替代离子规, 提供可靠的, 长期稳定的压力测试, 更适合高污染的严苛工艺环境.

SRG 旋转转子真空规与离子规对比

SRG 旋转转子真空计精度高, 长期稳定, 不影响以任何方式测量的压力信号（无温度输入 / 电离 / 采集 / 漂移等）, 适用于半导体, 低温真空绝热, 高精度真空计校准系统.

SRG 旋转转子真空规与离子规对比

SRG 旋转转子真空计精度高, 长期稳定, 不影响以任何方式测量的压力信号（无温度输入 / 电离 / 采集 / 漂移等）, 适用于半导体, 低温真空绝热, 高精度真空计校准系统.

SRG 旋转转子真空规与离子规对比

SRG 旋转转子真空计精度高, 长期稳定, 不影响以任何方式测量的压力信号（无温度输入 / 电离 / 采集 / 漂移等）, 适用于半导体, 低温真空绝热, 高精度真空计校准系统.

上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 700 应用于离子束刻蚀机

涡轮分子泵 HiPace 700 应用于离子束刻蚀机 IBE, 45分钟内真空度达到 1X10-5 hPa, 24小时内的极限真空 8X10-7 hPa.

上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 700 应用于加速器质谱系统

7套涡轮分子泵 HiPace 700 应用于加速器质谱系统

ph-instruments Dositorr SRG 磁悬浮转子真空计离子注入应用

SRG 磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无污染, 对沉积不敏感. 可替代离子注入工艺中的离子规, 解决常规离子规经常失效, 信号漂移等问题.

ph-instruments Dositorr SRG 磁悬浮转子真空计离子注入应用

SRG 磁悬浮转子真空计, 耐腐蚀, 无污染, 对沉积不敏感. 可替代离子注入工艺中的离子规, 解决常规离子规经常失效, 信号漂移等问题.

SRG 磁悬浮转子真空计应用于显示面板腔体测量

磁悬浮转子真空计具有长期的坚固性, 高度准确和稳定的压力读数, 耐腐蚀和沉积, 即使在腐蚀工艺中, 其他仪表可能会漂移和失效, SRG 磁悬浮转子真空计无影响.

SRG 磁悬浮转子真空计应用于显示面板腔体测量

磁悬浮转子真空计具有长期的坚固性, 高度准确和稳定的压力读数, 耐腐蚀和沉积, 即使在腐蚀工艺中, 其他仪表可能会漂移和失效, SRG 磁悬浮转子真空计无影响.

SRG 磁悬浮转子真空计应用于显示面板腔体测量

磁悬浮转子真空计具有长期的坚固性, 高度准确和稳定的压力读数, 耐腐蚀和沉积, 即使在腐蚀工艺中, 其他仪表可能会漂移和失效, SRG 磁悬浮转子真空计无影响.

SRG 旋轉轉子真空計測量原理

SRG 旋轉轉子真空計測量原理,穩定測量優勢,固有的抗污染性和堅固設計,高精度和長期穩定性

SRG 旋轉轉子真空計測量原理

SRG 旋轉轉子真空計測量原理,穩定測量優勢,固有的抗污染性和堅固設計,高精度和長期穩定性

SRG 旋轉轉子真空計測量原理

SRG 旋轉轉子真空計測量原理,穩定測量優勢,固有的抗污染性和堅固設計,高精度和長期穩定性

Pfeiffer 普发在线质谱分析仪 Omnistar GSD 350 应用于煤转化过程催化

对煤转化过程相关的催化材料和能源环境新材料的分析检测提供化学和物理特性信息

Pfeiffer 普发气体质谱仪 GSD 350 在线实时分析

从“静态, 离线”的研究模式转向“动态, 原位”的观察方式, 能够捕捉反应过程中的瞬时中间产物, 识别关键反应路径

Pfeiffer 普发质谱分析仪 ThermoStar GSD 350 分析聚氯乙烯 PVC 燃烧产物

ThermoStar GSD 350 与热天平 TGA 联用, 能够快速地分析热重测试过程中逸出气体产物

四极杆质谱仪 PrismaPro 真空钎焊过程中的残余气体分析

真空炉监测分析钎焊, 烧结过程中的气体变化. 可定量定性评估真空系统中的残余气体成分

Pfeiffer 普发残余气体分析仪 Hicube RGA 应用于环境水分析

采用膜进样方式, 测试样本水中氮气, 氩气比等, 满足试验要求

Pfeiffer 四极杆质谱仪搭配吸附仪进行化学催化废气分析

在化学实验中对催化裂化过程中产生的废气进行测试, 确认是否有有害气体存在.

Pfeiffer 四极杆质谱仪搭配吸附仪进行化学催化废气分析

在化学实验中对催化裂化过程中产生的废气进行测试, 确认是否有有害气体存在.

Pfeiffer 普发干式氦质谱检漏仪 ASM 340D 医疗控制阀门检漏

ASM 340D 医疗控制阀门检漏, 清洁无油, 高灵敏度, 快速准确, 非侵入性测试

Pfeiffer 普发干式氦质谱检漏仪 ASM 340D 植入式医疗器械检漏

ASM 340D 植入式医疗器械检漏, 为医疗行业的微创介入, 人体植入产品的密封性检漏测试提供解决方案.

Pfeiffer 普发氦质谱检漏仪 ASM 340D 密封继电器检漏

ASM 340D 航天相关的电子元器件泄漏检测, 微型密封高可靠极化继电器要求漏率小于 1×10-9 Pa m3／s.

Pfeiffer 普发氦质谱检漏仪 ASM 340 光学镀膜机检漏

ASM 340 光学镀膜机检漏, 真空模式下, 漏率要求达到 1X10-7 mbar l/s, 保证光学镀膜机在生产过程中的密封性.

Pfeiffer 普发氦质谱检漏仪 ASM 340 操作说明

ASM 340 简短操作说明, 适用机型 ASM 340 WET , ASM 340 DRY

KRi 霍尔离子源 eH 400 不规则电子晶片蒸镀前清洗

霍尔离子源 eH 400 应用于蒸发镀膜机, 不规则电子晶片蒸镀前清洗, 经过清洗后的晶片镀膜, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.

KRi 霍尔离子源 eH 400 HC 应用于 IBE 离子束刻蚀机

霍尔离子源 eH 400 HC 实现 2英寸硅芯片蚀刻,对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺

KRi 霍尔离子源 EH 3000 IBAD 辅助镀膜

大尺寸霍尔离子源 EH 3000 应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片

美国 KRi 霍尔离子源 EH 3000 应用于蒸镀直径 2.2m 天文望远镜

霍尔离子源 EH 3000 应用于蒸镀直径 2.2m 天文望远镜, 镀全反射膜, 高均匀性及高致密性的膜层可以保障光源有效反射, 尽可能减少吸收

IBE 离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用

离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.

IBE 离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用

离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.

IBE 离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用

离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.

铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案

铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案

铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案

IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用

上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀

IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用

上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀

IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用

上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀

IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).

IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).

IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).

IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用

刻蚀不易刻蚀的金属或合成堆栈膜层 Ta, Ru, Pt … 及介质层 SiO2, SiNx …

IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用

刻蚀不易刻蚀的金属或合成堆栈膜层 Ta, Ru, Pt … 及介质层 SiO2, SiNx …

IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用

刻蚀不易刻蚀的金属或合成堆栈膜层 Ta, Ru, Pt … 及介质层 SiO2, SiNx …

IBE 離子束幹法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢

伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器製備

IBE 離子束幹法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢

伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器製備

IBE 離子束幹法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢

伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器製備

IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的衝擊產生的離子在 200~ 1000ev 的範圍內加速, 利用離子的物理動能

IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的衝擊產生的離子在 200~ 1000ev 的範圍內加速, 利用離子的物理動能

IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的衝擊產生的離子在 200~ 1000ev 的範圍內加速, 利用離子的物理動能

IBE 离子束刻蚀机应用优势

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机刻蚀最大 8寸的几乎任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体等

IBE 离子束刻蚀机应用优势

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机刻蚀最大 8寸的几乎任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体等

IBE 离子束刻蚀机应用优势

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机刻蚀最大 8寸的几乎任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体等

上海伯东 Pfeiffer 普发分子泵 HiPace 80 应用于 PLD 脉冲激光沉积设备

HiPace 80 应用于 PLD 脉冲激光沉积设备.从而实现该系统制备金属, 半导体, 氧化物, 氮化物, 碳化物, 硼化物, 硅化物, 硫化物及氟化物等各种物质薄膜和制备一些难以合成的材料膜, 如金刚石, 立方氮化物膜等.

上海伯东 Pfeiffer 普发分子泵 HiPace 80 应用于 PLD 脉冲激光沉积设备

HiPace 80 应用于 PLD 脉冲激光沉积设备.从而实现该系统制备金属, 半导体, 氧化物, 氮化物, 碳化物, 硼化物, 硅化物, 硫化物及氟化物等各种物质薄膜和制备一些难以合成的材料膜, 如金刚石, 立方氮化物膜等.

HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

应用于晶矽料生产设备中的 Load-lock 工位, 美国 HVA 矩形阀 88200 系列, 具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 有效减少了维护次数,

HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

应用于晶矽料生产设备中的 Load-lock 工位, 美国 HVA 矩形阀 88200 系列, 具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 有效减少了维护次数,

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

应用于中国研制的亚洲粒子加速器系统 100MV,HVA 带孔真空插板阀, 可根据客户需求进行定制

HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

应用于中国研制的亚洲粒子加速器系统 100MV,HVA 带孔真空插板阀, 可根据客户需求进行定制

HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

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HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

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HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

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HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

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HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

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HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

应用于中国研制的亚洲粒子加速器系统 100MV,HVA 带孔真空插板阀, 可根据客户需求进行定制

HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

应用于中国研制的亚洲粒子加速器系统 100MV,HVA 带孔真空插板阀, 可根据客户需求进行定制

HVA 真空阀门应用于亚洲最大的粒子加速器系统

应用于中国研制的亚洲粒子加速器系统 100MV,HVA 带孔真空插板阀, 可根据客户需求进行定制

HVA 真空插板阀（真空阀门）用于激光真空系统

HVA 真空插板阀（真空阀门）用于激光真空系统

HVA 真空插板阀（真空阀门）用于激光真空系统

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HVA 真空插板阀（真空阀门）用于激光真空系统

HVA 真空插板阀（真空阀门）用于激光真空系统

HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

应用于晶矽料生产设备中的 Load-lock 工位, 美国 HVA 矩形阀 88200 系列, 具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 有效减少了维护次数,

HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

应用于晶矽料生产设备中的 Load-lock 工位, 美国 HVA 矩形阀 88200 系列, 具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 有效减少了维护次数,

HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

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HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

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HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

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HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

应用于晶矽料生产设备中的 Load-lock 工位, 美国 HVA 矩形阀 88200 系列, 具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 有效减少了维护次数,

HVA 矩形阀 88200 系列 Load-lock 典型应用

应用于晶矽料生产设备中的 Load-lock 工位, 美国 HVA 矩形阀 88200 系列, 具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 有效减少了维护次数,

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

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HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 真空闸阀 11000 系列应用于 OLED 镀膜机

为了节省抽空时间和防止基片的污染,会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样,由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加 HVA高真空闸阀来隔离系统

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 高真空闸阀 11000 系列 应用于 E-Beam 镀膜机

E-Beam 电子束蒸发镀膜机用于在半导体, 光学, 超导材料等行业的研究与生产, 比如基片蒸发沉积金属, 导电薄膜, 半导体薄膜, 铁电薄膜, 光学薄膜和介质材料.

HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

HVA 闸阀阀体和部件均是在真空炉中一体钎焊完成, 消除了虚漏的可能, 广泛用在气体输送环节 (气体管路系统) , 起到真空隔离密封作用.

HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

HVA 闸阀阀体和部件均是在真空炉中一体钎焊完成, 消除了虚漏的可能, 广泛用在气体输送环节 (气体管路系统) , 起到真空隔离密封作用.

HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

HVA 闸阀阀体和部件均是在真空炉中一体钎焊完成, 消除了虚漏的可能, 广泛用在气体输送环节 (气体管路系统) , 起到真空隔离密封作用.

HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

HVA 闸阀阀体和部件均是在真空炉中一体钎焊完成, 消除了虚漏的可能, 广泛用在气体输送环节 (气体管路系统) , 起到真空隔离密封作用.

HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

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HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

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HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

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HVA 真空闸阀在气体管路系统应用

HVA 闸阀阀体和部件均是在真空炉中一体钎焊完成, 消除了虚漏的可能, 广泛用在气体输送环节 (气体管路系统) , 起到真空隔离密封作用.

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

上海伯东美国 HVA 真空插板阀应用于半导体管道中

美国 HVA 6寸, 8寸 真空插板阀已广泛应用于半导体气体管路中,满足高真空 1E10-9 mabr 和超高真空 1E10-10 mbar 应用

InTest DCP-102 接触式高低温测试机高功率芯片测试

冷却能力更强 -55C@55W, 适用于高功率芯片测试, MOSFET, IGBT, 集成电路 IC, 存储芯片Memory等

ASM 340 氦质谱检漏仪 CT X射线管和管组件检漏

密封性泄露测试. 主要是对 X 射线管和管组件中的电路板和铝铸件进行检漏, 检漏仪真空模式下, 最小漏率可以达到 5E-13 Pa m3/s.

ASM 340 氦质谱检漏仪 CT X射线管和管组件检漏

密封性泄露测试. 主要是对 X 射线管和管组件中的电路板和铝铸件进行检漏, 检漏仪真空模式下, 最小漏率可以达到 5E-13 Pa m3/s.

ASM 340 氦质谱检漏仪 CT X射线管和管组件检漏

密封性泄露测试. 主要是对 X 射线管和管组件中的电路板和铝铸件进行检漏, 检漏仪真空模式下, 最小漏率可以达到 5E-13 Pa m3/s.

ASM 340 氦质谱检漏仪 CT X射线管和管组件检漏

密封性泄露测试. 主要是对 X 射线管和管组件中的电路板和铝铸件进行检漏, 检漏仪真空模式下, 最小漏率可以达到 5E-13 Pa m3/s.

美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 辅助镀膜 IBAD 应用

eH 400 应用于 e-beam 电子束蒸发系统, 实现 IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性

美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 辅助镀膜 IBAD 应用

eH 400 应用于 e-beam 电子束蒸发系统, 实现 IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性

美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 辅助镀膜 IBAD 应用

eH 400 应用于 e-beam 电子束蒸发系统, 实现 IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性

美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 辅助镀膜 IBAD 应用

eH 400 应用于 e-beam 电子束蒸发系统, 实现 IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性

美国 KRi 霍尔离子源 eH 400 辅助镀膜 IBAD 应用

eH 400 应用于 e-beam 电子束蒸发系统, 实现 IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性

KRI 霍尔离子源控制器成功替代 Veeco Commonwealth 控制器

不需更改任何镀膜机计算机程序及相关设定即可直接运做

KRi 射频离子源 RFICP 325 LED-DBR 辅助镀膜

安装于 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机, 用于 LED-DBR 辅助镀膜, 精密光学镜头

InTest ATS-535 双界面 IC 卡芯片高低温冲击测试

满足客户身份证用 NFC 芯片研发生产要求, 双界面 IC卡芯片广泛应用于金融 IC卡, 社保卡, 交通, ETC, 居民健康卡等应用场景.

InTest ATS-535 热流仪半导体芯片高低温测试

ATS-535 为半导体功率器件 ( MOSFET, IGBT, SIC, GaN,车规级芯片…), 功率模块, 功率集成电路, 智能传感器等芯片研发提供高低温测试解决方案.

InTest ATS-545 热流仪光通信模块, 光纤收发器高低温测试

ATS-545 升降温速率更快; 可针对众多元器件中的某一单个收发器, 将其隔离出来单独进行高低温冲击, 而不影响周边其它器件

InTest ATS-545 热流仪用于12寸存储器芯片 MRAM 研发测试

ATS-545 通过快速提供高低温测试环境, 成功应用于 12寸存储器芯片 MRAM 研发测试

InTest ATS-545 时钟芯片高低温冲击测试

ATS-545-M 热流仪与其测试设备搭配, 为分析时钟芯片的各项特性, 提供快速可靠的温度环境. 助力企业填补了国内时钟领域的技术空白

InTest ATS-545 热流仪车规级芯片高低温冲击测试

ATS-545 满足汽车半导体行业更严格及更高效的测试要求, 可以对微控制单元 MCU, 传感器和存储器 DRAM 等车载芯片进行快速高低温冲击测试, 极大节约了客户研发成本

InTest 热流仪电源管理芯片高低温冲击测试

inTEST 热流仪提供 -100°C 至 +225°C 快速温度冲击范围, 满足各类电源管理芯片的高低温冲击测试.

InTest 热流仪电源管理芯片高低温冲击测试

inTEST 热流仪提供 -100°C 至 +225°C 快速温度冲击范围, 满足各类电源管理芯片的高低温冲击测试.

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InTest 热流仪电源管理芯片高低温冲击测试

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InTest 热流仪电源管理芯片高低温冲击测试

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InTest ATS-545 热流仪 PCB 板电子芯片高低温测试

ATS-545 模拟 PCB 板在气候环境下操作及储存的适应性，已确保其在极端环境下也可正常工作

InTest ATS-545 热流仪 PCB 板电子芯片高低温测试

ATS-545 模拟 PCB 板在气候环境下操作及储存的适应性，已确保其在极端环境下也可正常工作

InTest ATS-710E 热流仪 LED 液晶显示屏高低温冲击测试

ATS-710E 与德国 AUTRONIC DMS 液晶显示屏测量系统联用进行 LED 环境温度测试. 每个 DMS 系统都可以扩展一个适当的冷热系统, 以进行 LED 光学显示特性和一致性测试的温度相关测量.

InTest ATS-710E 热流仪 LED 液晶显示屏高低温冲击测试

ATS-710E 与德国 AUTRONIC DMS 液晶显示屏测量系统联用进行 LED 环境温度测试. 每个 DMS 系统都可以扩展一个适当的冷热系统, 以进行 LED 光学显示特性和一致性测试的温度相关测量.

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InTest ECO-560 高低温测试机 400G 光模块温度测试

ECO-560 高低温测试机 400G 光模块温度测试, 光模块目前广泛应用于数据中心, 5G 移动通信和人工智能行业.

InTest ECO-560 高低温测试机 400G 光模块温度测试

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InTest ATS-505 热流仪集成电路 IC 卡高低温测试

InTest ATS-505 热流仪集成电路 IC 卡高低温测试

InTest BT28 热流仪光模块高低温测试

InTest BT28 适用于对低温要求不高的非高功率芯片或者器件测试, 例如光模块, 光通讯研发, 存储芯片, MCU 芯片研发等

InTest ATS-545 热流仪车载显示器高低温光学测量应用

ATS-545 适用于高低温环境和光照环境下的车载显示器光学测试系统, 实现各类车载显示器在环境温度和光照环境下的光学项目测试.

InTest ATS-710E 新能源汽车 IGBT 功率器件高低温冲击测试

在 -40℃ 至 175℃ 温度下对 IGBT 进行快速温度循环冲击和功率循环测试. ATS-710E 高低温冲击热流仪搭配测试机平台 load board 为 IGBT 功率器件温度测试提供解决方案.

InTest ATS-710E 新能源汽车 IGBT 功率器件高低温冲击测试

在 -40℃ 至 175℃ 温度下对 IGBT 进行快速温度循环冲击和功率循环测试. ATS-710E 高低温冲击热流仪搭配测试机平台 load board 为 IGBT 功率器件温度测试提供解决方案.

InTest ATS-710E 新能源汽车 IGBT 功率器件高低温冲击测试

在 -40℃ 至 175℃ 温度下对 IGBT 进行快速温度循环冲击和功率循环测试. ATS-710E 高低温冲击热流仪搭配测试机平台 load board 为 IGBT 功率器件温度测试提供解决方案.

InTest ATS-710E 新能源汽车 IGBT 功率器件高低温冲击测试

在 -40℃ 至 175℃ 温度下对 IGBT 进行快速温度循环冲击和功率循环测试. ATS-710E 高低温冲击热流仪搭配测试机平台 load board 为 IGBT 功率器件温度测试提供解决方案.

InTest ATS-750 车载功率芯片高低温冲击测试

ATS-750E 热流仪又获车载功率芯片高低温测试订单！为新能源汽车安全”保驾护航”！

KRi 霍尔离子源 eH 400F 典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

eH 400 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.

KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺

KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.

KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺

KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.

KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺

KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.

KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺

KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.

KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺

KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.

电子束镀膜机加装 KRi 霍尔离子源 EH 2000

eH 2000 加装于电子束镀膜机用于望远镜用金属零部件 IBAD 辅助镀膜

KRi 霍尔离子源 eH 2000 望远镜镜片镀膜应用

eH 2000 安装于高性能电子束光学镀膜机, 实现 300 mm 望远镜镜片镀膜.

KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统

美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用

考夫曼離子源 KDC 40 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用於雙腔室高真空等離子 ALD 系統

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用於雙腔室高真空等離子 ALD 系統

KRi 霍尔离子源 eH 1000 应用于科研级薄膜沉积设备

eH 1000 应用于高真空电子束蒸发设备 E-Beam, 4英寸的氧化膜沉积实验.

KRi 霍尔离子源 eH 1000 应用于聚氨酯类的材料进行清洗前处理

霍尔离子源 eH 1000 安装于磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

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離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380 应用于蓝玻璃 AR工艺

光学镀膜机加装 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380, 在离子清洗, 辅助沉积时, 提高蓝玻璃的薄膜 / 基层物的附着性和硬度, 减少吸收残余气体的污染物和薄膜应力

美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD

RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜

KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD

KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD

KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD

KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD

KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 10 硅片刻蚀应用

KDC 10 离子源用于自主搭建离子束刻蚀机, 进行 1寸或2寸晶圆 (硅片) 刻蚀

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机

应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机

应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机

应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机

应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机

应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.

KRi 考夫曼离子源 KDC 160 应用于硅片刻蚀清洁

KDC 160 应用于硅片刻蚀系统: 批量处理, 行星载台 4 x 10 片, 刻蚀均匀性 <±5%

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等

KRi 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中

12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

KRi 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中

12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

在线质谱分析仪 Omnistar 热催化分析

Omnistar 对经过热催化后的气体 CH4, NO, CO2 等气体进行分析. 热催化主要涉及在较低温度 (≤ 523 K) 的加氢反应, 生成 CH4, NO, CO2 等气体. 热催化是催化 CO2 转化最常用的方法之一.

Pfeiffer 普发残余气体分析仪 QMG 250 超高真空排气台应用

QMG 250 用于分析真空环境下超高真空排气台部件释放的气体成分和含量, 此超高真空排气台主要用于制造电气压力开关, 排气效率决定了成品的质量.

Pfeiffer 普发残余气体分析仪 PrismaPro 应用于电化学反应研究电池反应过程

PrismaPro 残余气体分析仪搭建分析系统, 检测电池充放电过程中的逸出气体如 H2, CO, CO2, N2 等, 用于研究锂电池 (三元材料, 磷酸铁锂之类的) 反应过程, 解决电池使用过程中的鼓包, 衰减等问题, 从而开发动力性高比能量电池.

Pfeiffer 普发残余气体分析仪 PrismaPro 应用于矿井瓦斯气体检测

PrismaPro 用于检测研究矿井中的瓦斯气体成分和含量.

Pfeiffer 普发在线质谱分析仪与热重联用

Pfeiffer 在线质谱分析仪与热重分析仪 (TGA) 联用, 能够快速地分析热重测试过程中逸出气体产物

Pfeiffer 普发质谱分析仪与催化剂评价装置联用

Pfeiffer 质谱分析仪通过与催化剂评价装置联用, 可以实现直接检测反应产物气体. 考察不同压力, 温度等条件下的反应物变化, 完成诸如催化剂的机理研究

Pfeiffer 普发质谱分析仪与催化剂评价装置联用

Pfeiffer 质谱分析仪通过与催化剂评价装置联用, 可以实现直接检测反应产物气体. 考察不同压力, 温度等条件下的反应物变化, 完成诸如催化剂的机理研究

Pfeiffer 普发质谱分析仪与催化剂评价装置联用

Pfeiffer 质谱分析仪通过与催化剂评价装置联用, 可以实现直接检测反应产物气体. 考察不同压力, 温度等条件下的反应物变化, 完成诸如催化剂的机理研究

Pfeiffer 普发残余气体分析仪 QMG 250 应用于角分辨光电子能谱仪 XPS

QMG 250 对 XPS 系统的分析室残余气体进行定性和半定量分析, 并针对残余气体进行除气措施

Pfeiffer 普发残余气体分析仪 QMG 250 应用于分子束外延 MBE

QMG 250 残余气体分析仪应用于分子束外延 MBE, 对超高真空腔体进行检漏, 及材料放气组分及水汽进行分析, 确保超高真空及真空的稳定性

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 340D 数据中心液冷散热设备检漏

CPU (中央处理器) 和 GPU (图形处理器) 是 AI 系统中重要的两种计算核心, CPU 和 GPU 的温度是衡量计算机系统散热效率和稳定性的关键指标

残余气体分析仪 Hicube RGA 应用于高温真空炉, 实现质量保证和过程优化

Hicube RGA 残余气体分析仪与高温真空炉连接, 测试产品在不同温度下挥发的产物变化, 进一步分析产品的耐用性以及使用形态.

上海伯东 ASM 310 氦质谱检漏仪 EUV 光刻机检漏

ASM 310 EUV 光刻机检漏, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 需要对构成光刻机的真空相关部件进行检漏且要求清洁无油

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 310 电子束光刻机检漏

当真空度达到 15 hPa 时, 在腔体周围怀疑有漏的位置吹扫一定量的氦气, 同时启动便携式检漏仪 ASM 310 开始检漏

上海伯东便携式检漏仪 ASM 310 红外探测器杜瓦封装检漏

红外探测器需要在超低温下工作. 因此需要将红外探测器封装在杜瓦瓶中, 组装成杜瓦封装器件

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 390 激光器零件检漏

应用于航天领域的激光器零件检漏, 中空夹层设计, 仅在两端焊接密封, 真空模式下, 焊缝处漏率要求 < 10-9 Atm.cc/s.

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 390 减压器检漏

减压器主要用于半导体管路中气体减压, 调节气体压力, 减压器要求在真空模式下漏率小于 1X10-8 mbar l/S

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 390 半导体用配管配件检漏

定制不锈钢管, 配件和歧管广泛应用于半导体厂务端, 用于输送高压氧气, 氢气等. 客户从现场量测管路, 然后对不同管路的口径进行焊接, 产品漏率值需要达到 <1E-9mar l/s

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 390 罐式集装箱(压力容器)检漏

应用于运输腐蚀性液体的大型车或船用防腐罐箱(压力容器), 真空模式下, 漏率需要达到 -11 Pa m3/s

上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 380 热交换器检漏

ASM 380 对体积 >1000L 的热交换器进行检漏, 热交换器内部管子细长, 流导小, 需要尽可能的快速测试并要求清洁无油

上海伯东 Pfeiffer 普发氦质谱检漏仪 ASM 392 调节阀气路管道检漏

ASM 392 调节阀中的气路管道检漏, 经过检漏后的调节阀广泛应用于电厂, 生物制药,化工等行业.

上海伯东 Pfeiffer 普发模块化检漏仪 ASI 35 应用于电子元器件检漏系统

ASI 35 用于电子元器件检漏. 真空模式下, 漏率 5x10-7 mbar l/s.

上海伯东 Pfeiffer 普发模块化检漏仪 ASI 35 汽车燃油箱检漏系统

模块化检漏仪应用于汽车燃油箱检漏系统

上海伯东 Pfeiffer 普发模块检漏仪 ASI 35 应用于氢能行业真空箱检漏系统

ASI 35 作为自动氦检漏系统的核心部件, 提供可靠, 可重复的泄露检测, 满足氢能行业真空箱检漏系统要求.

上海伯东 SRG 磁悬浮转子真空计适用于半导体工艺中的精确真空监测

在半导体离子注入工艺中, SRG 磁悬浮转子真空计零失误, 零偏差, 精准测量

上海伯东 SRG 磁悬浮转子真空计适用于半导体工艺中的精确真空监测

在半导体离子注入工艺中, SRG 磁悬浮转子真空计零失误, 零偏差, 精准测量

上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 1500 U 应用于镀膜生产线

涡轮分子泵 HiPace 1500 U 应用于玻璃触控模组的镀膜生产线

上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 700 应用于磁控溅射系统

分子泵 HiPace 700 磁控溅射系统, 用于光刻胶片上溅金属铬, 铜, 钛

上海伯东 Pfeiffer 普发分子泵 HiPace 2300 应用于真空校准系统

非标成套真空设备厂商, 其生产的真空校准系统配置 涡轮分子泵 HiPace 2300

上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 2300 集成在 Hauzer 镀膜设备中

涡轮分子泵 HiPace 2300 集成在 Hauzer 镀膜设备中

上海伯东 Pfeiffer 普发涡轮分子泵 HiPace 2300 应用于电子束蒸发镀膜

电子束蒸发镀膜系统配置涡轮分子泵 HiPace 2300, 用于生长半导体材料, 金属膜, Mn 氧化物膜.

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

双级旋片泵 Duo 3 应用于冻干机设备

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵应用于检测仪器

双级旋片泵应用于检测仪器, 提供测定材料特性的真空解决方案

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵应用于检测仪器

双级旋片泵应用于检测仪器, 提供测定材料特性的真空解决方案

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵应用于检测仪器

双级旋片泵应用于检测仪器, 提供测定材料特性的真空解决方案

上海伯东 Pfeiffer 普发双级旋片泵应用于检测仪器

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上海伯东分析仪器中的真空系统(SplitFlow 分流分子泵应用)

SplitFlow 分流分子泵应用于各类分析仪器中

上海伯东分析仪器中的真空系统(SplitFlow 分流分子泵应用)

SplitFlow 分流分子泵应用于各类分析仪器中

上海伯东 Pfeiffer 干式真空泵 (多级罗茨泵) ACP 15 G 为气体水分仪提供洁净真空环境

ACP 15 G 为气体水分仪提供洁净真空环境

使用壓敏膠帶 GP-CLEANTAPE 清潔 Gel-Pak 膠面

使用 Gel-Pak 壓敏膠帶 GP-CLEANTAPE/075 或者 GP-CLEANTAPE/175 小心覆蓋在污染膠面表面

伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的應用

IBE 離子束刻蝕機 20IBE-C 成為 BAW/SAW 濾波器製造的關鍵工藝之一.

伯東美國 Gel-Pak DGL 膠膜在真空鍍膜行業的應用

DGL 膠膜提供粘性的表面, 可以在鍍膜過程中固定住器件, 比如玻璃, 石英, 光學器件等

Gel-Pak DGL 膠膜在化合物半導體晶圓 Scribe &Break 中的應用

DGL 膠膜可以取代 Mylar 膜, 應用在裂片 Break 制程前

上海伯东 HiCube 80 Eco 普发涡轮分子泵组医疗导管抽真空

HiCube 80 Eco 涡轮分子泵组医疗导管抽真空,导管利用真空绝热的原理, 外管抽真空 <10-5 hPa 就可以防止或者减少冷或热传递到外层

上海伯东 Pfeiffer 普发分子泵组 HiCube 80 Eco 搭配低温阻抗测试仪

HiCube 80 Eco 普发分子泵组搭配低温阻抗测试仪,分析电子元器件在低温环境下电阻的变化

上海伯东 Pfeiffer 普发分子泵组 HiCube 80 Eco 应用于红外原位分析平台

分子泵组应用于红外原位分析平台

上海伯东 Pfeiffer 普发分子泵组 HiCube 80 应用于低温真空探针台

HiCube 80 分子泵组应用于低温真空探针台, 即插即用, 提供清洁, 低振动, 稳定的高真空环境

伯東 Pfeiffer 普發多級羅茨泵 ACP 28 G 特氣櫃應用

ACP 28 G 以無油潔淨, 防腐耐用, 穩定可靠, 緊湊低耗, 長週期免維護, 成為高危/高純特氣輸送系統的理想真空解決方案.

伯東 Hakuto Genius 線上質譜分析儀同位素測試

某科研單位採購 Hakuto Genius 線上質譜分析儀 1-200 amu, 主要用於測試同位素或催化分析