伯東美國 KRi 三層柵網射頻離子源 RFICP 220 適用於各類真空鍍膜系統, 通過 IBAD 離子束輔助改善金屬膜層附著力. 實現各類精密光學鍍膜需要.

KRi 三層柵網射頻離子源 RFICP 220 精密光學鍍膜案例
設備: 電子束蒸發設備 E-beam
應用: 鍍金屬反射膜, 大型望遠鏡--3.2米量級主鏡鍍膜應用的真空鍍膜系統, 電阻式蒸發源主要用於蒸發金屬膜(鋁, 銀, 鉻等材料), 電子束式蒸發源用於蒸發高溫氧化物等介質膜. KRi 射頻離子源 RFICP 220 離子束輔助鍍膜, 用於改善金屬膜層附著力, 降低氧化物吸收和提高環境穩定性



KRi 三層柵網射頻離子源 RFICP 220
三層柵網設計, 覆蓋面積更大, 精密控制離子束流的能量, 方向, 保障輸出束流質量的同時最小化能量損耗. 對污染的工藝環境, 具備一定的防護作用.

2MHz射頻頻率, 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

真空環境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現薄膜的緻密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到需要的材料. 同時 KRi 射頻離子源可以對工藝過程優化, 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 射頻離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                    臺灣伯東: 王小姐
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