美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220

簡介

22cm 柵網 RF 射頻離子源
2kW & 2 MHz, 射頻自動匹配
大尺寸設計, 提供高能量,寬束離子束
可選 3層柵網
滿足 200mm 離子束刻蝕 IBE , 離子濺射鍍膜 IBSD , 離子輔助鍍膜 IBAD
更大的離子光學元件選擇, 覆蓋大於 2米的工藝區域
標準配置下, KRi RFICP 220 射頻離子源典型離子能量範圍為 100 ~ 1500eV, 離子電流輸出可達 2000mA

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技术规格

伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用於離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, KRi 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下KRi 射頻離子源 RFICP 220 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRi 射频离子源 RFICP 220

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

陽極	電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動匹配
最大陽極功率	>1kW
最大離子束流	> 1000mA
電壓範圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學, 自對準	OptiBeamTM
離子束柵極	22cm Φ
柵極材質	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	30 cm
直徑	41 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜) IBAD
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成於半導體設備, 實現 8寸晶片蝕刻
KRi 射频离子源 RFICP 220

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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