美國 KRi 射頻離子源 RFICP 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 離子源單次工藝時間更長, KRi 射頻離子源 RFICP 適合多層膜的製備, 離子濺鍍鍍膜, 離子束刻蝕. 主要型號: RFICP 380, RFICP 220, RFICP 140, RFICP 100, RFICP 40
主要型号
KRi 射频离子源 RFICP 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, KRi 射频离子源 RFICP 适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜, 离子束刻蚀. 主要型号: RFICP 380, RFICP 220, RFICP 140, RFICP 100, RFICP 40
技术参数
伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的製備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的緻密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
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射頻離子源 RFICP 系列技術參數:
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型號 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
|
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1500eV |
100-1500eV |
100-1500eV |
100-1500eV |
100-1500eV |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
22 cm Φ |
38 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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射頻離子源 RFICP 系列應用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 啟動 SM (Surface modification and activation )
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
伯東美國考夫曼 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用於 12英寸和 8英寸離子束刻蝕機, 作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
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伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.
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上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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