KRi 射頻離子源 RFICP 40

RFICP 40 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
離子源結構模組化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 優化蝕刻率和均勻性.
提供聚焦, 發散, 平行的離子束
離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重複的工藝運行
柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性

咨询了解

或直接联络客服: 139-1883-7267

KRi 射頻離子源 RFICP 40 4 cm 柵網 RF 射頻離子源

技术规格

应用领域

簡介

洽詢了解

技术规格

伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計採用創新的柵極技術用於研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用於通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:

型號	RFICP 40
Discharge 陽極	RF 射頻
離子束流	>100 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm
直徑	13.5 cm
中和器	LFN 2000 or RFN

KRi 射頻離子源典型應用：
預清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi 射频离子源 RFICP 40

KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝於 e-beam 電子束蒸發系統, 進行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上鍍反射塗層).

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958