KRi 霍爾離子源 eH 1000

eH 1000 霍爾離子源尺寸: 直徑 5.7 ″高 5.5″
放電電壓 / 電流: 50-300 V / 10 A
工藝氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

高離子束電流滿足沉積率的臨界到達比, 高離子輔助沉積 IAD 速率
低離子能量通過避免高能離子對表面和介面的轟擊損傷而使產量更大化
寬束, 發散離子束通過均勻地覆蓋沉積區從而增加每次加工零件數量來提高輸送量
堅固耐用的模組化結構降低了備件耗材和維護時間, 減少維護成本和停機時間
無柵網, 緊湊設計, 方便加裝,無需水冷
適用於中型真空系統, Load lock / 超高真空系統, 實現離子輔助, 預清潔, 低能量蝕刻等應用

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KRi 霍爾離子源 eH 1000 放電電壓 / 電流: 50-300 V / 10 A

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伯東代理美國原裝進口 KRi 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統. 實現離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

KRi 霍爾離子源 eH 1000 技術參數

型號	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	50-300V DC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結構	模組化
電源控制	eHx-300 10A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束髮散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRi 霍爾離子源 eH 1000 應用
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• 沉積鍍膜 Direct Deposition
• 表面改性 Surface Modification
• 低能刻蝕 Low-energy etching
• 聚合物基材 Polymer Substrates

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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