KRi 考夫曼離子源 KDC 100

伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 100 中型規格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中, KRi 考夫曼離子源 KDC 100 採用雙陰極燈絲和自對準柵極, 標準配置下 KDC 100 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

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KRi 考夫曼離子源 KDC 100 12 cm 柵極考夫曼離子源

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伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 100 中型規格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中, KRi 考夫曼離子源 KDC 100 採用雙陰極燈絲和自對準柵極, 標準配置下 KDC 100 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRi 考夫曼離子源 KDC 100 技術參數：

型號	KDC 100
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	2
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準
-柵極直徑	12 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1212
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安裝	移動或快速法蘭
- 高度	9.25'
- 直徑	7.6'
- 離子束	聚焦平行散設
-加工材料	金屬電介質半導體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	8-36”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架

KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應用領域：
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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