對於導電性能良好的金屬材料, 一般直流磁控濺射電源是較為合適的選擇, 伯東美國 KRi 直流磁控濺射電源電弧抑制優勢, 穩定的控制磁控濺射陰極, 減少基材和目標的損壞, 增加沉積時間. 適用於金屬靶材濺射.


金屬靶材濺射過程電弧抑制應用
3" Ф 磁控管陰極, 反應濺射鋁金屬靶: Ar / 02 氣體混合物

KRi 直流磁控濺射電源消弧技術:
弧檢測 <100 nsec 弧線檢測
電弧處理參數可調: 弧後檢測延遲時間, 重新啟動前弧後檢測輸出關閉時間
最小電弧能量:< 1mJ, 減少基材和目標損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時間
弧度計數器: 目標條件和工藝環境的指示



KRi 直流磁控濺射電源應用於金屬靶材濺射

金屬靶材濺射是一種應用於材料製備和表面處理的工藝, 電源不僅影響濺射效率, 還直接關係到濺射過程的穩定性和產品品質. 伯東美國 KRi 離子源多年研發和生產經驗, 為各類濺射鍍膜機提供合適的直流濺射電源和鍍膜離子源.

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 射頻離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                臺灣伯東: 王小姐
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