KRi 霍爾離子源 eH 400

KRi 霍爾離子源 eH 400 直徑 3.7 ″, 高3″
放電電壓/電流: 50-300 V/5 A
工藝氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體物質
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達比, 高離子輔助沉積 IAD 速率
低離子能量通過避免高能離子對表面和介面的轟擊損傷而使產量更大化
寬束, 發散離子束通過均勻地覆蓋沉積區從而增加每次加工零件數量來提高輸送量
堅固耐用的模組化結構降低了備件耗材和維護時間, 減少維護成本和停機時間
無柵網, 緊湊設計, 方便加裝, 提供離子協助工具

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KRi 霍爾離子源 eH 400 4cm 霍爾離子源

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伯東代理美國 KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高電流離子束 > 750 mA, KRi 霍爾離子源 eH 400 小巧的尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 適用於離子輔助鍍膜 IBAD, 預清洗 PC s和低能量離子蝕刻 IBE.

KRi 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

型號	eH 400
陽極	DC
陽極電流(最大)	5A
離子束流(最大)	>750mA
陽極電壓範圍	50-300V
離子能量範圍	25-300eV
陽極功率(最大)	500W (輻射冷卻)
氣體	惰性氣體和反應氣體
氣體流量	3-30 sccm
壓力	< 1 x 10^-3 Torr
離子束流直徑	4cm Φ
離子束髮散角度	> 45° (hwhm)
陰極中和器	沉浸式或非沉浸式
尺寸:	高度: 3.0” (7.62cm); 直徑: 3.7” (9.4cm)

KRi 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
電子束蒸發, 磁控濺射中的 IBAD
Load Lock 預清潔
沉積前的預清潔
低能離子束蝕刻
類金剛石碳塗層
離子束濺射

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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