KRi 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設三種方式, KRi 考夫曼離子源 KDC 適用於離子濺鍍和蒸發鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 啟動 SM, 離子濺射沉積和多層結構 IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
主要型号
KRi 考夫曼离子源 KDC
技术参数
伯東美國原裝進口考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強設計輸出高品質, 穩定的電子流.
美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對準離子光學和開關式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應用. 考夫曼離子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼離子源, 電子中和器, 電源供應器等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如實驗室小型研發, 鍍膜機, load lock, 磁控濺射系統, 捲繞鍍膜機和線性鍍膜.
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 特性：
通過加熱燈絲產生電子
低電流高能量寬束型離子源
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 應用：
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性, 啟動 SM
沉積 DD
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 技術參數：
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型號 |
KDC 10 |
KDC 40 |
KDC 75 |
KDC 100 |
KDC 160 |
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Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
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離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
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直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.
