KRI 考夫曼離子源 KDC 160

伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,離子能量最強的柵極離子源, 適用於已知的所有離子源應用, 離子源 KDC 160 高輸出設計,最大電流超過 1000 mA. 無需水冷, 降低安裝要求並排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設計,標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

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KRI 考夫曼離子源 KDC 160 16 cm 柵極考夫曼離子源

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簡介

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技术规格

型號	KDC 160
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	2
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準
-柵極直徑	16 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1212
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安裝	移動或快速法蘭
- 高度	9.92'
- 直徑	9.1'
- 離子束	聚焦平行散設
-加工材料	金屬電介質半導體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	8-45”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 160 應用
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi 考夫曼離子源 KDC 160 應用於矽片刻蝕系統: 批量處理, 行星載台 4 x 10 片, 刻蝕均勻性 <±5%.
KRI 考夫曼离子源 KDC 160

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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