KRi 考夫曼離子源
Hakuto 自研線上質譜分析儀
ph instruments 磁懸浮轉子真空計
Hakuto NS 離子束刻蝕機 IBE
Pfeiffer Vacuum 普發真空
InTest 高低溫衝擊熱流儀
HVA 超高真空閥門
Gel-Pak 芯片包裝盒
Thermonics 超低溫冰水機
Polycold 冷凍機

離子束刻蝕機 10 IBE

離子束刻蝕機 10 IBE
離子束刻蝕機 10 IBE
離子束刻蝕機 10 IBE
離子束刻蝕機 10 IBE

基板尺寸: φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1 (可根據器件大小定制載台)
均勻性: ≤±5%
適用於實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕
可選配美國 KRi 考夫曼離子源或 EPD 終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程)
幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
可根據您的要求進行定制

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或直接联络客服: 139-1883-7267

離子束刻蝕機 10 IBE 8寸及以下單片的材料刻蝕

簡介

基板尺寸: φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1 (可根據器件大小定制載台)
均勻性: ≤±5%
適用於實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕
可選配美國 KRi 考夫曼離子源或 EPD 終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程)
幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
可根據您的要求進行定制

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技术规格

伯東日本原裝進口 NS 離子束刻蝕機 10 IBE, 適用於實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕. 離子束刻蝕機 10 IBE 可選配美國 KRi 考夫曼離子源或終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程).

離子束刻蝕機 10 IBE 基本參數

型號

10 IBE

终点检测器
可選

應用

實驗室研發,占地面積小

內置

考夫曼型離子源 (或根據需求選擇射頻離子源)

基板尺寸

φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根據器件大小定制載台)

均匀性

≤±5%

刻蝕速率

硅片 20 nm/min

工藝氣體

Ar, O2, N2

樣品台

直接冷卻(水冷)0-90 度旋轉


離子束刻蝕機 10 IBE 組成
Hakuto NS 离子束刻蚀机

離子束刻蝕機 10 IBE 特性:
1. 幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機台設計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程

IBE 离子束刻蚀机

IBE 离子束刻蚀机

IBE 离子束刻蚀机

伯東 IBE 離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為幹法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由於是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用於Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用於由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

若您需要進一步的瞭解 NS離子束刻蝕機詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                                 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )               M: +886-939-653-958

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应用案例

上海伯东针对不同客户, 提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新的项目应用

IBE 离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用
IBE 离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用

离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.

铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀
铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案

IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用
IBE 离子束刻蚀机刻蚀应用

上海伯东提供 4-8寸 IBE 离子束刻蚀机, 可以实现 ICP 或 RIE 无法进行的刻蚀, 几乎满足所有材料的刻蚀

IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率
IBE 离子束刻蚀机刻蚀材料和速率

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%).

IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用
IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用

刻蚀不易刻蚀的金属或合成堆栈膜层 Ta, Ru, Pt … 及介质层 SiO2, SiNx …

IBE 離子束幹法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢
IBE 離子束幹法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢

伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰(LN)光柵耦合器製備

IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點
IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的衝擊產生的離子在 200~ 1000ev 的範圍內加速, 利用離子的物理動能

IBE 离子束刻蚀机应用优势
IBE 离子束刻蚀机应用优势

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机刻蚀最大 8寸的几乎任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体等