KRi 考夫曼離子源 KDC 75

伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75: 緊湊柵極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用於中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用, KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.

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KRi 考夫曼離子源 KDC 75 7.5 cm 柵極考夫曼離子源

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KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數
通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.

型號	KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	2
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準
-柵極直徑	7.5 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安裝	移動或快速法蘭
- 高度	7.9'
- 直徑	5.5'
- 離子束	聚焦平行散設
-加工材料	金屬電介質半導體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	6-24”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設備: e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: KDC 75
應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積

KRi 考夫曼离子源 KDC 75

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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