LFN 2000 安裝在離子源側面的非浸入式電子源
工作範圍適用於低發射電流有利的應用
模組化結構
"插座元件" 便於進行快速維護, 可輕鬆更換燈絲
發射電流調節
氣體流量: 持續供應 6 立方釐米/分鐘的氬氣
維護成本低
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KRi 電子中和器 LFN 2000 非浸入式電子源
簡介
LFN 2000 安裝在離子源側面的非浸入式電子源
工作範圍適用於低發射電流有利的應用
模組化結構
"插座元件" 便於進行快速維護, 可輕鬆更換燈絲
發射電流調節
氣體流量: 持續供應 6 立方釐米/分鐘的氬氣
維護成本低
技术规格
伯東美國 KRi 電子中和器 Electron Sources, 提供幾種類型的低能量高電流電子源. 電子源技術包含浸入式熱離子燈絲和非浸入式空心陰極發射器. 型號包含燈絲型中和器 Filament Neutralizer , 空心陰極中和器 Hollow Cathode Neutralizers, LFN2000, RFN3000,
通常, 這些電子源可以作為陰極和/或中和器與等離子體或離子源結合使用. 它們在惰性和反應性氣體環境中的操作是標準的. 電子源的發射電流是用電流反饋回路測量和控制. 由於這種精確可靠的電子源, KRi 電子中和器成功地用於靜電敏感應用和介電材料環境.
KRi 電子中和器安裝在材料處理環境中, 作為中和器集成到離子束源上, 或者可以集成到等離子體放電的電離過程中. 在其他應用中, 可以與磁控管陰極一起安裝以調整濺射操作.
KRi 電子中和器 Electron Sources 功能
離子束中和: 射頻離子源, 考夫曼離子源, 霍爾離子源和陽極層源
等離子體產生中的電離: 射頻離子源, 考夫曼離子源, 霍爾離子源
在正偏置分析儀器中, 電中和
磁控濺射中增強的電子通量
主要型號
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燈絲型中和器 Filament Neutralizer |
空心陰極中和器 Hollow Cathode Neutralizers |
RFN 3000 |
LFN 2000 |
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一般用於陰極和/或中和器與等離子體或離子源結合使用 |
空心陰極是 KRi 提供的幾種低能量和高電流電子源之一.通常用作離子和等離子體束受控生產中的中和劑或陰極 |
通常安裝在材料加工環境中, 並在離子和等離子束的受控生產中用作中和劑或陰極 |
安裝在離子源側面的非浸入式電子源. 它的工作範圍適用於低發射電流有利的應用 |
伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.
若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
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