KRi 射頻離子源 RFICP 100

19cm 柵網 RF 射頻離子源
射頻自動匹配
提供高能量,寬束離子束
可選3層柵網
適用於離子束刻蝕 IBE , 離子濺射鍍膜 IBSD
標準配置下, KRi RFICP 220 射頻離子源典型離子能量範圍為 100 ~ 1500eV, 離子電流輸出可達 400mA

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KRi 射頻離子源 RFICP 100 19cm 柵網 RF 射頻離子源

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伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用於離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 射頻離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達到 400 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數

陽極	電感耦合等離子體射頻自動匹配
最大陽極功率	600W
最大離子束流	> 300mA
電壓範圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2,其他
流量	5-20 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學, 自對準	OptiBeamTM
離子束柵極	10cm Φ
柵極材質	鉬, 石墨
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

KRI 射頻離子源 RFICP 100 應用領域
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統組態如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
KRi 射频离子源 RFICP 100

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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