RFICP 40 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
離子源結構模組化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 優化蝕刻率和均勻性.
提供聚焦, 發散, 平行的離子束
離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重複的工藝運行
柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
或直接联络客服: 139-1883-7267
KRi 射頻離子源 RFICP 40 4 cm 柵網 RF 射頻離子源
簡介
RFICP 40 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
離子源結構模組化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 優化蝕刻率和均勻性.
提供聚焦, 發散, 平行的離子束
離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重複的工藝運行
柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
技术规格
伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計採用創新的柵極技術用於研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用於通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:
|
型號 |
RFICP 40 |
|
Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
3-10 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
12.7 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 or RFN |
KRi 射頻離子源典型應用：
預清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝於 e-beam 電子束蒸發系統, 進行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上鍍反射塗層).
伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.
若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
应用案例
上海伯东针对不同客户, 提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新的项目应用
KRi 射频离子源 RFICP 40 应用于氧化物薄膜及异质结制备系统
KRi 射频离子源 RFICP 40 协助完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金属氧化物在 6寸单晶硅上均匀沉积多层膜的需要, 单晶硅镀氧化薄膜的工艺过程
KRi 考夫曼離子源常見真空應用
離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹
KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等
