伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用於所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 相容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
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KRi 考夫曼離子源 KDC 40 4cm 柵極 考夫曼離子源
簡介
伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用於所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 相容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
技术规格
伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用於所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 相容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數
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型號 |
KDC 40 |
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陽極 |
DC 直流 |
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陽極功率 |
100W |
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最大離子束流 |
>100mA |
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電壓 |
100-1200V |
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氣體 |
惰性和反應氣體 |
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進氣流量 |
2-10sccm |
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壓力 |
<0.5m Torr |
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離子光學(自對準) |
OptiBeamTM |
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離子束直徑 |
4cm Φ max |
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柵極 |
鉬和石墨 |
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離子束形狀 |
聚焦, 平行, 散射 |
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高度 |
16cm |
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直徑 |
9cm |
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.
若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
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应用案例
上海伯东针对不同客户, 提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新的项目应用
KRi 考夫曼离子源应用于离子束抛光工艺
KRi 考夫曼离子源应用于光学镀膜离子束抛光机及晶体硅片离子束抛光机.
KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统
美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于 IBE 刻蚀 + E-beam 高真空双腔系统
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
考夫曼離子源 KDC 40 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用於雙腔室高真空等離子 ALD 系統
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用於雙腔室高真空等離子 ALD 系統
KRi 考夫曼離子源常見真空應用
離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹
KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
通过加热灯丝产生电子, KDC 系列离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD
KRi 考夫曼离子源 KDC 100 应用于 IBE 离子束刻蚀机
应用于刻蚀 2寸,4寸金属和多层氧化物, 满足客户研发液晶功能材料及器件, 如光栅器件(透射式, 螺旋式和闪耀式光栅) 等要求.
KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
离子源预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等
