伯東 Hakuto / NS 共同研發的離子束刻蝕機 IBE , 日本原裝設計製造, 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸幹法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 由於是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及多層膜的複合半導體材料, 廣泛應用於 RF 射頻器件, MEMS 感測器, 磁性器件 …, 滿足研發需要. IBE 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套 IBE 離子束刻蝕機. 刻蝕機可選配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵, 美國 KRi 離子源. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術! 點擊查看更多 IBE 應用案例 >>
主要型号
技术参数
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離子束刻蝕機 10 IBE |
離子束刻蝕機 20 IBE-C |
離子束刻蝕機 20 IBE-J |
