基板尺寸: φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根據器件大小定制載台)
均勻性: ≤±5%
適用於實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕
可選配美國 KRi 考夫曼離子源或 EPD 終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程)
幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
可根據您的要求進行定制
離子束刻蝕機 10 IBE 8寸及以下單片的材料刻蝕
簡介
基板尺寸: φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根據器件大小定制載台)
均勻性: ≤±5%
適用於實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕
可選配美國 KRi 考夫曼離子源或 EPD 終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程)
幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
可根據您的要求進行定制
技术规格
伯東日本原裝進口 NS 離子束刻蝕機 10 IBE, 適用於實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕. 離子束刻蝕機 10 IBE 可選配美國 KRi 考夫曼離子源或終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程).
離子束刻蝕機 10 IBE 基本參數
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型號 |
10 IBE |
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應用 |
實驗室研發,占地面積小 |
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內置 |
考夫曼型離子源 (或根據需求選擇射頻離子源) |
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基板尺寸 |
φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根據器件大小定制載台) |
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均匀性 |
≤±5% |
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刻蝕速率 |
硅片 20 nm/min |
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工藝氣體 |
Ar, O2, N2 |
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樣品台 |
直接冷卻(水冷)0-90 度旋轉 |
離子束刻蝕機 10 IBE 組成
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離子束刻蝕機 10 IBE 特性:
1. 幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機台設計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程



伯東 IBE 離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為幹法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由於是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用於Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用於由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
若您需要進一步的瞭解 NS離子束刻蝕機詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
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应用案例
上海伯东针对不同客户, 提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新的项目应用