離子束刻蝕機, 離子蝕刻機 20IBE-J

簡介

適用於批量處理的大型科研離子束刻蝕機 IBE
滿足 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蝕
基板數量尺寸: φ4 X 12枚, φ6 X 8枚(可根據器件大小定制載台)
配置 20cm 考夫曼離子源
配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面
均勻性: ≤±5%
可選配美國 KRi 離子源或終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程).
射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀

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技术规格

伯東日本原裝進口 NS 離子束刻蝕機 20 IBE-J, 大口徑基板尺寸, 適用於實驗室批量處理的大型幹法刻蝕機, 離子束刻蝕機 20 IBE-J 滿足 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蝕. 採用自研公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%. 離子束刻蝕機 20 IBE-J可選配美國 KRi 離子源或終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程).

離子束刻蝕機 20 IBE-J 基本參數

型號	20 IBE-J	Φ4 inch X 12片	可选
應用	適用於批量處理的實驗室研發
內置	考夫曼型離子源(或根據需求選擇射頻離子源)
基板尺寸	φ4 inch X12片 φ6 inch X 8片(可根據器件大小定制載台)
均匀性	≤±5%
刻蝕速率	硅片 20 nm/min
工藝氣體	Ar, O₂, N₂
樣品台	直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機台設計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程

IBE 离子束刻蚀机

伯東IBE 離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為幹法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由於是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用於Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用於由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

若您需要進一步的瞭解 NS離子束刻蝕機詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
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