伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.

離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設計為高度可調節, 客戶可根據不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯動控制的蓋板, 在離子源剛啟動時關閉蓋板, 待離子束流穩定後打開蓋板, 對基片做預清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩定性和均勻性. 當工藝完成後可以技術關閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長離子源使用壽命, 降低保養成本.

 

KRi 離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的緻密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.

伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用於所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 相容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

* 可選: 可調角度的支架

伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用於標準和新興材料工藝. 在原子水準上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產生有益的材料性能. 伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
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