KRi 射頻等離子體源 RF2100ICP

伯東代理美國 KRi 考夫曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子自動匹配, 固定匹配網路. 離子源 RF2100ICP 適用于預清潔, 氧化和氮化處理, 輔助沉積, 以及各類半導體材料, 磁性金屬等的製備.

KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源特性
通過 RFICP 放電啟動等離子體: 產生 100% O₂, N₂ 反應等離子束
寬束髮散等離子束(准中性): 大出口平面孔徑, 提高覆蓋範圍和均勻性
輸出低能量離子: 最大限度地減少襯底損壞
無提取柵網: 減少複雜性, 降低維護成本和潛在污染源
可靠的等離子點火電路: 專用電子源僅在等離子體啟動時開啟
離子源自動控制和調節: 自動排序和射頻阻抗匹配
無水冷卻: 消除真空中水洩漏的風險
適用於不同的轟擊距離: 一般為 15 至 45釐米



 

KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源參數

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                 臺灣伯東: 王小姐
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