KRi 大面積射頻離子源 RFICP 380

簡介

38cm 柵網 RF 射頻離子源
2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
大尺寸設計, 提供高能量,寬束離子束
3層柵網設計
滿足 300mm 離子束刻蝕 IBE , 離子濺射鍍膜 IBSD , 離子輔助鍍膜 IBAD
標準配置下, KRi RFICP 380 射頻離子源典型離子能量範圍為 100 ~ 1500eV, 離子電流輸出可達 4000mA

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技术规格

伯東美國 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用. 廣泛應用於離子束刻蝕機.

KRi 射頻離子源 RFICP 380 特性
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長. 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
2. 離子源結構模組化設計
3. 離子光學, 自對準技術, 准直光束設計, 自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重複的工藝運行
4. 全自動控制器
5. 離子束動能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用
KRi 射频离子源 RFICP 380

射頻離子源 RFICP 380 技術規格:

陽極	電感耦合等離子體 2kW & 1.8 MHz 射頻自動匹配
最大陽極功率	>1kW
最大離子束流	> 1000mA
電壓範圍	100-1500V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2,其他
流量	5-50sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學, 自對準	OptiBeamTM
離子束柵極	38cm Φ
柵極材質	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	38.1 cm
直徑	58.2 cm
鎖緊安裝法蘭	12”CF

伯東美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用於 12英寸和 8英寸磁記憶體刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 製造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用於 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.

作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
KRi 射频离子源 RFICP 380

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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