KRi 考夫曼離子源 KDC 10

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KRi 考夫曼離子源 KDC 10 1cm 柵極考夫曼離子源

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伯東美國 KRi 離子源 KDC 10 是 KRi 柵極型離子源 Gridded 系列最小的型號. 非常適合安裝在較小的真空系統中進行預清洗, 離子束濺射和離子蝕刻工藝. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高. KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本高效能等優點廣泛應用在顯微鏡樣品製備領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.

伯東美國 KRi 離子源 KDC 10 是 KRi 柵極型離子源 Gridded 系列最小的型號. 非常適合安裝在較小的真空系統中進行預清洗, 離子束濺射和離子蝕刻工藝. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高. KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本高效能等優點廣泛應用在顯微鏡樣品製備領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.

KRi 考夫曼离子源 KDC 10

KRi 考夫曼離子源 KDC 10 技術參數

型號	KDC 10
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽極電壓	0-100V DC
- 柵極直徑	1cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構	移動或快速法蘭
- 高度	4.5'
- 直徑	1.52'
- 離子束	聚焦平行散射
-加工材料	金屬電介質半導體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	2-12”
- 自動控制	控制4種氣體

KRi 考夫曼離子源 KDC 10 應用領域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 矽片刻蝕應用
伯東協助某客戶自主搭建離子束刻蝕機, 進行 1寸或2寸晶圓 (矽片) 刻蝕, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 進行晶圓的超精密加工, 後期用於研究高品質精密 x射線反射鏡.

離子束刻蝕機真空腔體主要部件如下圖所示, 主要是離子源, 運動台和晶圓支架. 因刻蝕晶圓直徑比較小,推薦使用低成本高效能的美國 KRi 小型號考夫曼離子源 KDC 10, 離子源底座安裝設計為可移動, 進行刻蝕工藝時, 工藝氣體氬氣, 通過離子源發出一個圓形的自對準聚焦離子束, 離子束移動, 而晶圓保持固定. 這種設計節省了腔室和整個系統的空間.
KRi 考夫曼离子源 KDC 10

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
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