KRi 霍爾離子源 eH 3000

水冷 - 加速冷卻
可拆卸陽極組件 - 易於維護; 維護時,最大限度地減少停機時間; 隨插即用備用陽極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
等離子轉換和穩定的功率控制

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KRi 霍爾離子源 eH 3000

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伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統, 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上高效, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術參數

型號	eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	50-250V VDC
- 離子源直徑	~ 7 cm
- 陽極結構	模組化
電源控制	eHx-25020A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束髮散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	16-45”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架;

KRI 霍爾離子源 eH 3000 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD
表面改性, 啟動 SM
直接沉積 DD

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

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