KRi 直流磁控溅射电源

伯東代理美國 KRi 直流磁控濺射電源適用於各品牌磁控濺射鍍膜機, 低壓直流電源 0-1000 V, 穩定的控制磁控濺射陰極. 真正的電弧檢測和抑制. KRi 直流磁控濺射電源可以減少基材和目標的損壞, 增加沉積時間.

 

KRi 直流磁控濺射電源特點:
真正的電弧檢測和抑制: <100 nsec 電弧檢測
最小電弧能量:能量:<1mJ : 減少基材和目標的損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時間
從 25 到 1500W 穩定的輸出功率
電壓, 電流和功率調節模式
可調運行計時器, 可調功率斜坡
配方存儲多達 7個單獨的目標
KWHr 計數器時間限制
緊湊設計: 僅需一個單元
0-1000V 和 0.4A 工作範圍: 滿額定功率可適用於大阻抗範圍
大阻抗範圍: 不需要在整個範圍內更換變壓器分接
可調電弧處理參數: 後電弧檢測延遲時間; 重新啟動前的電弧檢測輸出斷開時間
弧度計數器: 目標條件和工藝環境的指示

KRi 直流磁控濺射電源參數:

提供三種規格滿足不同的濺射應用

KRi 直流磁控濺射電源典型應用
金屬磁控濺射,  反應膜層濺射


 

伯東美國 KRi 提供的離子源模組化電源控制器, 可以操作各種離子, 等離子體和電子源, 用於在等離子體處理中, 輸出穩定和可重複功率的動態負載. 可以在惡劣的環境中正常運轉, 易於系統集成.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.