光通信的資訊載體是光波, 為了進一步提高光通信系統中光信號的傳輸品質, 滿足光通信系統的使用要求,  伯東美國 KRi 離子源通過離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統中實現光模組, 光器件等薄膜元件的精密加工. 離子源典型應用例如, 在光纖連接面鍍 AR 增透膜 (減反射膜), 達到減少光纖對光的損耗, 增加光的透過率, 減少反射的工藝效果.



與國產離子源對比, 伯東美國 KRi 射頻離子源主要特點
無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 單次工藝時間更長, 非常適用於複雜, 精密的多層薄膜製備
提供緻密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度, 不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
清潔, 低污染工藝
優良的反應沉積工藝, 沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
可控制的離子能量, 離子電流密度

KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小於× 10-4 torr

美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數

伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 製造從微米到亞納米範圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特徵.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高品質的真空系統.

若您需要進一步的瞭解 KRi 離子源 詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )              M: +886-939-653-958

伯東版權所有, 翻拷必究！