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最新消息 NEWS
應用案例 APPLICATIONS
美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應用
高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%
IBE 離子束幹法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢
伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器製備
伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的應用
IBE 離子束刻蝕機 20IBE-C 成為 BAW/SAW 濾波器製造的關鍵工藝之一.
IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的衝擊產生的離子在 200~ 1000ev 的範圍內加速, 利用離子的物理動能
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用於雙腔室高真空等離子 ALD 系統
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用於雙腔室高真空等離子 ALD 系統
ph-instruments SRG 磁懸浮轉子真空計可替代 MKS, INFICON 離子規
可以替代離子規 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型號
SRG 磁懸浮轉子真空計應用優勢
耐腐蝕和沉積, 無燈絲設計, 替代傳統的離子規(冷陰極離子規或熱陰極離子規)
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